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原子層沉積設(shè)備能有效地避免管路堵塞及交叉污染問題

更新時間:2022-12-28      瀏覽次數(shù):730
  原子層沉積設(shè)備是一項沉積薄膜的重要技術(shù),具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積,這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響,所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性,可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。
  
  原子層沉積設(shè)備的特點
  
  1、傳輸管路的優(yōu)化設(shè)計,有效地避免管路堵塞及交叉污染問題
  
  2、工業(yè)化級別標(biāo)準(zhǔn)集成:PLC+工控機+觸摸屏
  
  3、軟件操作界面友好,可真正實現(xiàn)“一鍵沉積”
  
  4、完善全面的安全互鎖方案
  
  5、實時監(jiān)測鍍膜工藝
  
  技術(shù)指標(biāo)
  
  1、本底真空:<5.0×10-3torr,高性能機械泵(可定制其它款型)
  
  2、樣品腔室:φ100mm+真空過渡腔(可定制其它款型)
  
  3、前驅(qū)體源:3路
  
  4、氧化/還原反應(yīng)物:3路
  
  5、沉積溫度:室溫-500℃(可定制其他溫度)
  
  6、前驅(qū)體管道溫度:室溫-120℃(可定制其他溫度)
  
  7、源瓶加熱溫度:室溫-120℃(可定制其他溫度)
  
  原子層沉積設(shè)備是一款全自動獨立的PC計算機控制的ALD原子層沉積系統(tǒng),帶Labview軟件,具備四級密碼控制的用戶授權(quán)保護功能。系統(tǒng)為全自動的安全互鎖設(shè)計,并提供了強大的靈活性,可以用于沉積多種薄膜(如:AL2O3,AlN,TiN,ZrO2,LaO2,HfO2,等等)。應(yīng)用領(lǐng)域包含半導(dǎo)體、光伏、MEMS等。
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